韩国知识产权局发布半导体芯片制程技术专利趋势分析通告

发布时间：2021-10-28 09:03:59 所属栏目：通讯来源：互联网

导读：2021年7月20日，韩国知识产权局发布《半导体芯片制程技术专利趋势分析》报告，该报告从专利申请量、申请国别、专利申请人等角度对半导体芯片制程技术中的鳍式场效应晶体管技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）和全环栅晶体管技术（Gate all around F

2021年7月20日，韩国知识产权局发布《半导体芯片制程技术专利趋势分析》报告，该报告从专利申请量、申请国别、专利申请人等角度对半导体芯片制程技术中的鳍式场效应晶体管技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）和全环栅晶体管技术（Gate all around Field Effect Transistor，GAAFET）的专利布局情况进行分析，囿于篇幅的限制，本文选取部分内容进行分析、总结。一、FinFET技术专利申请量持续下降从2012年发布第一代22nm制程工艺开始，FinFET晶体管结构在半导体上已经使用接近9年时间，还将在未来几年继续扮演重要的角色。业界看好下一代GAAFET在3nm及更先进制程上的应用，可以带来更好的可扩展性、更快的开关时间、更优的驱动电流以及更低的泄露。韩国知识产权局对上述两种芯片制程技术的全球专利申请量进行分析（如图表1所示），此前一直作为半导体芯片制程技术支柱的FinFET技术专利申请数量从2017年达到巅峰后（1936件）逐年下降，2020年甚至到达五年来的最低值。而新出现的GAAFET技术专利申请数量呈指数增长，年均增长率超过30%。

（编辑：站长网）

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